半導体メモリは、ＲＡＭ（Ramdom Access Memory）とＲＯＭ（Read OnlyMemory）
　　　とに分けられる。

【ＲＡＭ】
　　　読み出しと書き込みが可能である。
　　　揮発性である。（電源を落とすと内容が失われる。）
　　　主記憶やキャッシュメモリに使われる。

【ＲＯＭ】
　　　読み出し専用である。
　　　不揮発性である。（電源を落としても内容は失われない。）
　　　制御用プログラム書き込み用などに使われる。

　　　ＲＡＭは大きく２つに分けられる。
　　　ＳＲＡＭ（Static RAM）とＤＲＡＭ（Dynamic RAM）である。

【ＤＲＡＭ】
　　　一定時間ごとに記憶保持のための再書き込み（リフレッシュ）を行う必要がる。
　　　主記憶装置などに使用される。
　　　その他の特徴として
　　　・低速（リフレッシュ中にデータにアクセスできないので）
　　　・低価格
　　　・消費電力が小さい
　　　・回路が単純（コンデンサで構成されている）で、集積度が上げやすい

【ＳＲＡＭ】
　　　フリップフロップにより構成されており、リフレッシュが不要である。
　　　キャッシュメモリで使われる。
　　　その他の特徴として
　　　・高速（リフレッシュが必要ないから）
　　　・高価
　　　・消費電力が大きい
　　　・回路が複雑（フリップフロップで構成）で、集積度が上げにくい


　　　またＤＲＡＭには、さらに次のようなものがある。
　　　　（通常の）ＤＲＡＭ：コンデンサの電荷の有無で情報を記憶する。
　　　　　ＥＤＯ　ＤＲＡＭ（Extended Data Out DRAM）：
　　　　　　　　　　　　　　通常のＤＲＡＭよりもアクセスを高速化させたもの。
　　　　　ＶＲＡＭ：ディスプレイに表示する画像情報を記憶するビデオメモリ
   　               のこと。
　　　　            ディスプレイの解像度の最大値や最大同時発色数は、VRAM の
   　               容量で決まる。

　　　ＳＲＡＭはには２つのタイプがある。バイポーラ型とＭＯＳ型である。

　　　ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）：
　　　Ｐ−ＭＯＳとＮ−ＭＯＳという２つのトランジスタを組み合わせたＩＣである。
　　　特徴は、バイポーラ型に比べて、集積度が低く低速ではあるが、消費電力が
　　　小さくて済むことである。また高密度化を図ることができ、電源からのノイズに
　　　強いという長所を持つが、静電気に弱いという短所もある。

　　　バイポーラ（Bipolar）：バイポーラトランジスタを使用したＩＣである。

　　　ＲＯＭの方は主に内容の書き込み／書き換え方式から、次のように分類される。
　　　マスクＲＯＭ：製造するときに記憶内容を書き込む。
　　　ＰＲＯＭ（Programmable ROM）：
　　　　　　　　　ＲＯＭの使用者が電気的に記憶内容を書き込むことができる。
　　　ＥＰＲＯＭ（Erasable PROM）：
　　　　　　　　　ＰＲＯＭで記憶内容を紫外線で一括消去して内容を書き換え
　　　　　　　　　ることができるもの。
　　　ＥＥＰＲＯＭ（Electrically EPROM）：
　　　　　　　　　ＥＰＲＯＭで電気的にブロックまたはバイト単位で
　　　　　　　　　記憶内容を消去できる。
　　　フラッシュＰＲＯＭ（フラッシュメモリ）：
　　　　　　　　　ＰＲＯＭで記憶内容を電気的に一括消去して内容を書き換え
　　　　　　　　　ることができるもの。

　　　以上を図示する。

　　　メモリは、大きはＲＡＭとＲＯＭとに分けられる、さらにそれぞれつぎのような
　　　ものがある。
　　
　　
　　　　　　ＲＡＭ──┬──ＤＲＡＭ──┬──（狭義の）ＤＲＡＭ
　　　　　　　　　　　｜　　　　　　　　├──ＥＤＯ　ＤＲＡＭ
　　　　　　　　　　　｜　　　　　　　　└──ＶＲＡＭ
　　　　　　　　　　　└──ＳＲＡＭ──┬──ＭＯＳ型
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　└──バイポーラ型
　　　　　　ＲＯＭ──┬──マスクＲＯＭ
　　　　　　　　　　　├──ＰＲＯＭ
　　　　　　　　　　　├──ＥＰＲＯＭ
　　　　　　　　　　　├──ＥＥＰＲＯＭ
　　　　　　　　　　　└──フラッシュメモリ

　　　　　ＲＡＭ（Ramdom Access Memory）
　　　　　｜　　：読み出しと書き込みが可能である。
　　　　　｜　　　揮発性である。（電源を落とすと内容が失われる。）
　　　　　｜　　　主記憶やキャッシュメモリに使われる。
　　　　　｜
　　　　　├─ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory)
　　　　　｜　｜　　　：コンデンサに電荷を蓄えた状態か否かによって１ビットを
　　　　　｜　｜　　　　表現する。
　　　　　｜　｜　　　　主記憶に広く使われており，記憶内容を保っておくために
　　　　　｜　｜　　　　データの再書込みを常に行う必要がある。
　　　　　｜　｜　　　　集積度が高く，記憶容量当たりのコストが安い。
　　　　　｜　｜　　　　２〜３ミリ秒ごとに再書き込み（リフレッシュ）を行い
　　　　　｜　｜　　　　記憶内容を保持する。
　　　　　｜　｜　　　　低速ではあるが、低価格であり消費電力も小さい。
　　　　　｜　｜
　　　　　｜　├─（通常の）ＤＲＡＭ
　　　　　｜　｜　　　：コンデンサの電荷の有無で情報を記憶する。
　　　　　｜　｜
　　　　　｜　├─ＥＤＯ　ＤＲＡＭ（Extended Data Out DRAM）
　　　　　｜　｜　　　：通常のＤＲＡＭよりもアクセスを高速化させたもの。
　　　　　｜　｜
　　　　　｜　└─ＶＲＡＭ：ディスプレイに表示する画像情報を記憶するビデオメモリ
　　　　　｜　　　　　　　　のこと。
　　　　　｜　　　　　　　　ディスプレイの解像度の最大値や最大同時発色数は、VRAM の
　　　　　｜　　　　　　　　容量で決まる。
　　　　　｜
　　　　　└─ＳＲＡＭ（StaticRandom Access Memory)
　　　　　　　　　　　：高速であるが製造コストが高い。
　　　　　　　　　　　　フリップフロップにより構成されており、リフレッシュが
　　　　　　　　　　　　不要である。
　　　　　　　　　　　　ＤＲＡＭよりも高速であるが、消費電力は大きい。
　　　　　　　　　　　　格納しているデータを保持する処理が不要なメモリであり
　　　　　　　　　　　　データを速く読み出せるので，キャッシュメモリとして
　　　　　　　　　　　　よく用いられる。

　　　　　ＲＯＭ（Read Only Memory）
　　　　　｜　　　：製造時にデータが書き込まれる。
　　　　　｜　　　　マイクロプログラム格納用メモリとして用いられる。
　　　　　｜　　　　読み出し専用である。
　　　　　｜　　　　不揮発性である。（電源を落としても内容は失われない。）
　　　　　｜　　　　制御用プログラム書き込み用などに使われる。
　　　　　｜
　　　　　├─マスクＲＯＭ：製造するときに記憶内容を書き込む。
　　　　　｜
　　　　　├─ＰＲＯＭ（Programmable ROM）
　　　　　｜　　　　　：ＲＯＭの使用者が電気的に記憶内容を書き込むことができる。
　　　　　｜
　　　　　├─ＥＰＲＯＭ（Erasable Programmable Read Only Memory)
　　　　　｜　　　　　：専用の装置でデータを書き込むことができ記憶内容を紫外線で
　　　　　｜　　　　　　一括消去して内容を書き換えることができるもの。
　　　　　｜
　　　　　├─ＥＥＰＲＯＭ（Electrically EPROM）
　　　　　｜　　　　　：ＥＰＲＯＭで電気的にブロックまたはバイト単位で
　　　　　｜　　　　　　記憶内容を消去できる。
　　　　　｜
　　　　　└─フラッシュメモリ
　　　　　　　　　　　：バックアップ電源が不要で，ＰＲＯＭで記憶内容を電気的に全部
　　　　　　　　　　　　又は一部分を消して内容を書き換えることができるもの。